G-33B6型高精密光刻機

產品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和生產,由于本機找平機構**，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

主要構成PLC控制系統、氣動系統、真空系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。

曝光頭及部件圖

CCD顯微系統|X、Y、Q對準工作臺

1.適用范圍廣
適用于φ150mm以下厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。

2.套刻精度高、速度快

采用版不動，片動的下置式三層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙；承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。

4.可靠性高
采用PLC控制、進口（日本產）電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機運行具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。

5. 特設功能
除標準承片臺外，我公司還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

主要技術指標<span style="font-family:;" "="">

（1）采用高均勻性曝光頭。

a. 采用350W直流球形汞燈；

b.出射光斑≤φ150mm；

c.光強≥5mw/cm2（i線365nm; h線405nm; g線453nm的組合紫外光）；

d.光的不均勻性：在φ100mm范圍內≤±3%；

e.曝光時間采用0～999.9秒（日本OMRON生產）時間繼電器控制。

f. 對準精度：±0.5μm

g.曝光分辨率：1μm

（2）  觀察系統為上下各兩個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到19″高清液晶顯視屏上。

（3）  掩模版尺寸： 7″×7″；

（4）  承片臺尺寸：Φ6″；

（5）  基片厚度：≤5 mm；